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Hitachi離子研磨儀

簡(jiǎn)要描述:Hitachi離子研磨儀:IM4000PLUS是支持斷面研磨和平面研磨(Flat Milling®*1)的混合式離子研磨儀器。借此,可以用于適用于各種諸如對樣品內部結構觀(guān)察和各類(lèi)分析等,為評價(jià)目的樣品的制作。

  • 產(chǎn)品型號:IM4000 Plus
  • 廠(chǎng)商性質(zhì):代理商
  • 更新時(shí)間:2023-05-24
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量:1983
  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
品牌其他品牌價(jià)格區間面議
出料粒度0.01mm以下樣品適用硬性樣品
儀器種類(lèi)研磨機產(chǎn)地類(lèi)別進(jìn)口
應用領(lǐng)域電子

Hitachi離子研磨儀特點(diǎn)

 

高通量的斷面研磨

配備斷面研磨能力達到500 µm/h*2以上的高效率離子槍。因此,即使是硬質(zhì)材料,也可以高效地制備出斷面樣品。

*2   在加速電壓6 kV下,將Si從遮擋板邊緣伸出100 µm并加工1小時(shí)時(shí)的最大深度

 

 

Hitachi離子研磨儀斷面研磨

● 即使是由硬度以及研磨速度不同的成分所構成的復合材料,也可以制備出平滑的斷面樣品

● 優(yōu)化加工條件,減輕損傷

● 可裝載最大20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的樣品

斷面研磨的主要用途

● 制備金屬以及復合材料、高分子材料等各種樣品的斷面

● 制備用于分析開(kāi)裂和空洞等缺陷的斷面

● 制備評價(jià)、觀(guān)察和分析所用的沉積層界面以及結晶狀態(tài)的斷面

斷面研磨加工原理圖

 

平面研磨(Flat Milling®

● 均勻加工成直徑約為5mm的范圍

● 可運用于符合其目的的廣泛領(lǐng)域

● 最大可裝載直徑50 mm × 厚度25 mm的樣品

● 可選擇旋轉和擺動(dòng)(±60度~±90度的翻轉)2種加工方法

 

平面研磨(Flat Milling®)的主要用途

● 去除機械研磨中難以消除的細小劃痕和形變

● 去除樣品的表層

● 消除FIB加工的損傷

 

 

 

平面研磨(Flat Milling®)加工原理圖

 

與日立SEM的樣品結合

● 樣品無(wú)需從樣品臺取下,就可直接在SEM上進(jìn)行觀(guān)察。

● 在抽出式的日立SEM上,可按照不同的樣品分別設置截面、平面研磨桿,因此,在SEM上觀(guān)察之后,可根據需要進(jìn)行再加工。

 

 

 

功能

 

冷卻溫度調節功能*1

附冷卻溫度調節功能的IM4000PLUS
附冷卻溫度調節功能的IM4000PLUS

 

 

該功能可有效防止加工過(guò)程中,由于離子束照射引發(fā)的樣品的溫度上升,所導致樣品的溶解和變形。對于過(guò)度冷卻后會(huì )產(chǎn)生開(kāi)裂的樣品,通過(guò)冷卻溫度調節功能可防止其因過(guò)度冷卻而產(chǎn)生開(kāi)裂。

 

*1     此調節功能不是IM4000PLUS的標配功能,而是配有冷卻溫度調節功能的IM4000PLUS功能。

 

樣品:鉛焊料

 

常溫研磨
常溫研磨

冷卻研磨
冷卻研磨

 

 

選項

 

大氣隔離樣品桿

大氣隔離樣品桿,可讓樣品在不接觸空氣的狀態(tài)下進(jìn)行研磨。
密封蓋將樣品密閉,進(jìn)入真空排氣的樣品室后,打開(kāi)密封蓋。如此,離子研磨加工后的樣品可以在不接觸空氣的狀態(tài)下直接設置到SEM*1、FIB*1、AFM*2上。

*1    僅支持附帶大氣隔離樣品更換室的日立FE-SEM和FIB。

*2    僅支持真空型日立AFM。

 

鋰離子電池負極(充電后)

大氣暴露

大氣隔離

 

 

用于加工時(shí)觀(guān)察的立體顯微鏡

IM4000、IM4000PLUS通過(guò)設置在樣品室上方的立體顯微鏡,可觀(guān)察到研磨過(guò)程中的樣品。
如果是三目型,則可以通過(guò)CCD攝像頭*3進(jìn)行監控觀(guān)察。

*3    CCD攝像頭以及監控器由客戶(hù)準備。

 

 

 

 

 
規格 

 

項目

內容

IM4000PLUS

IM4000PLUS

斷面研磨桿

平面研磨桿

使用氣體

Ar(氬)氣

加速電壓

0 ~ 6 kV

最大研磨速度(Si材料)

500 µm/hr*1 以上

-

最大樣品尺寸

20(W)× 12(D)× 7(H)mm

Φ50 × 25(H) mm

離子束
間歇照射功能

標配

尺寸 

616(W)× 705(D)× 312(H)mm

重量 

機體48 kg+回轉泵28 kg

附冷卻溫度調節功能的IM4000PLUS

冷卻溫度調節功能

通過(guò)液氮間接冷卻樣品、溫度設定范圍:0°C ~ -100°C

選項

空氣隔離
樣品夾持器

僅支持斷面研磨夾持器

-

FP版斷面研磨夾持器

100 µm/rotate*2

-

用于加工監控的顯微鏡

倍率 15 × ~ 100 × 雙目型、三目型(支持CCD)

*1 將Si從遮擋板邊緣伸出100 µm并加工1小時(shí)的最大深度

*2 千分尺旋轉1圈時(shí)的遮擋板移動(dòng)量。斷面研磨夾持器比為1/5

 

 

觀(guān)察示例

 

斷面研磨

如果是大約500 µm的角型的陶瓷電容器,則可以3小時(shí)內制備出平滑的斷面。

樣品:陶瓷電容器

低倍圖像

放大圖像

即使硬度和成分不同的多層結構材料,也可以制備斷面。

樣品:保險杠涂膜

低倍圖像

放大圖像

這是通過(guò)鋰電池正極材料,斷面研磨獲得平滑截面的應用實(shí)例。
在SEM上觀(guān)察到的具有特殊對比度的部位,從SSRM(Scanning Spread Resistance Microscopy)圖像來(lái)看,考慮為電阻低的部位。

樣品:鋰離子電池正極材料 樣品制備方法:斷面研磨

 

平面研磨(Flat Milling)

可以去除機械研磨所引起的研磨損傷和塌邊,并可觀(guān)察到金屬層、合金層和無(wú)鉛焊料的Ag分布。

樣品:無(wú)鉛焊料

機械研磨后

平面研磨后

因老化等變得臟污的觀(guān)察面、分析面,通過(guò)平面研磨,也可以獲得清晰的通道對比度圖像和EBSD模式。

樣品:銅墊片

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